當前位置:首頁 > 產(chǎn)品中心 > EVG納米壓印機 > UV-NIL/SmartNIL紫外壓印 > Dymek岱美儀器EVG620 NT掩模對準光刻機系統(tǒng)
簡要描述:EVG620 NT以其多功能性和可靠性而著稱,在蕞小的占位面積上結(jié)合了優(yōu)良的對準功能和蕞優(yōu)化的總體擁有成本,提供了優(yōu)于其他品牌的掩模對準技術(shù)。它是光學雙面光刻的理想工具,可提供半自動或自動配置以及可選的全覆蓋Gen 2解決方案,以滿足大批量生產(chǎn)要求和制造標準。擁有操作員友好型軟件,蕞短的掩模和工具更換時間以及高效的*服務和支持,使它成為任何制造環(huán)境的理想解決方案。
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一、產(chǎn)品特色
EVG ® 620 NT提供國家的本領(lǐng)域掩模對準技術(shù)在蕞小化的占位面積,支持高達150毫米晶圓尺寸。
二、技術(shù)數(shù)據(jù)
EVG620 NT以其多功能性和可靠性而著稱,在蕞小的占位面積上結(jié)合了優(yōu)良的對準功能和蕞優(yōu)化的總體擁有成本,提供了優(yōu)于其他品牌的掩模對準技術(shù)。它是光學雙面光刻的理想工具,可提供半自動或自動配置以及可選的全覆蓋Gen 2解決方案,以滿足大批量生產(chǎn)要求和制造標準。擁有操作員友好型軟件,蕞短的掩模和工具更換時間以及高效的*服務和支持,使它成為任何制造環(huán)境的理想解決方案。
EVG620 NT或容納的EVG620 NT Gen2掩模對準系統(tǒng)配備了集成的振動隔離功能,可在各種應用中實現(xiàn)出色的曝光效果,例如,對薄而厚的光刻膠進行曝光,對深腔進行構(gòu)圖并形成可比的形貌,以及對薄而易碎的材料(例如化合物半導體)進行加工。此外,半自動和全自動系統(tǒng)配置均支持EVG專有的SmartNIL技術(shù)。
三、光刻機特征
晶圓/基板尺寸從小到150 mm / 6''
系統(tǒng)設(shè)計支持光刻工藝的多功能性
易碎,薄或翹曲的多種尺寸的晶圓處理,更換時間短
帶有間隔墊片的自動無接觸楔形補償序列
自動原點功能,用于對準鍵的精確居中
具有實時偏移校正功能的動態(tài)對準功能
支持最新的UV-LED技術(shù)
返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統(tǒng)
自動化系統(tǒng)上的手動基板裝載功能
可以從半自動版本升級到全自動版本
蕞小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求
多用戶概念(無限數(shù)量的用戶帳戶和程序,可分配的訪問權(quán)限,不同的用戶界面語言)
優(yōu)良的軟件功能以及研發(fā)與全 面生產(chǎn)之間的兼容性
便捷處理和轉(zhuǎn)換重組
遠程技術(shù)支持和SECS / GEM兼容性
四、附加功能
鍵對準
紅外對準
納米壓印光刻(NIL)
五、EVG620 NT技術(shù)數(shù)據(jù)
1)曝光源:
汞光源/紫外線LED光源
2)優(yōu)良的對準功能:
手動對準/原位對準驗證
3)自動對準:
動態(tài)對準/自動邊緣對準
對準偏移校正算法
4)EVG620 NT產(chǎn)能:
全自動:第 一批生產(chǎn)量:每小時180片
全自動:吞吐量對準:每小時140片晶圓
晶圓直徑(基板尺寸):高達150毫米
5)對準方式:
上側(cè)對準:≤±0.5 µm
底側(cè)對準:≤±1,0 µm
紅外校準:≤±2,0 µm /具體取決于基材
鍵對準:≤±2,0 µm
NIL對準:≤±3.0 µm
6)曝光設(shè)定:
真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式/彎曲模式
7)楔形補償:
全自動軟件控制
8)曝光選項:
間隔曝光/洪水曝光/扇區(qū)曝光
六、系統(tǒng)控制
1)操作系統(tǒng):
Windows
2)文件共享和備份解決方案/無限制 程序和參數(shù)
3)多語言用戶GUI和支持:
CN,DE,F(xiàn)R,IT,JP,KR
4)實時遠程訪問,診斷和故障排除
5)工業(yè)自動化功能:
盒式磁帶/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄,彎曲,翹曲,邊緣晶圓處理
6)納米壓印光刻技術(shù):SmartNIL ®
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